FQU8N25TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU8N25TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU8N25TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU8N25TU даташит

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf pdf_icon

FQU8N25TU

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD8N25 / FQU8N25 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has

Другие IGBT... FQU5N50TU, FQU5N60CTU, FQU5P20TU, FQU6N40CTU, FQU6P25TU, FQU7N10LTU, FQU7P06TU, FQU7P20TU, IRFB4227, FQU8P10TU, FQU9N25TU, IRF6216PBF, IRF6216PBF-1, IRF6217PBF, IRF6217PBF-1, IRF6218L, IRF6218PBF