Справочник MOSFET. FQU8N25TU

 

FQU8N25TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU8N25TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU8N25TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU8N25TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  fairchild semi
 fqd8n25tf fqu8n25tu.pdf pdf_icon

FQU8N25TU

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD8N25 / FQU8N25250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 250V, RDS(on) = 0.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has

Другие MOSFET... FQU5N50TU , FQU5N60CTU , FQU5P20TU , FQU6N40CTU , FQU6P25TU , FQU7N10LTU , FQU7P06TU , FQU7P20TU , AON6414A , FQU8P10TU , FQU9N25TU , IRF6216PBF , IRF6216PBF-1 , IRF6217PBF , IRF6217PBF-1 , IRF6218L , IRF6218PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.