IRF7351PBF Todos los transistores

 

IRF7351PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7351PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0178 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF7351PBF datasheet

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IRF7351PBF

PD - 97436 IRF7351PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l Synchronous Rectifier MOSFET for 17.8m @VGS = 10V 60V 24nC Isolated DC-DC Converters l Low Power Motor Drive Systems 1 8 S1 D1 Benefits 2 7 G1 D1 l Ultra-Low Gate Impedance 3 6 S2 D2 l Fully Characterized Avalanche Voltage 4 5 G2 D2 and Current l 20V VGS Max. Gate Rating SO-8 Top

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IRF7351PBF

PD - 95251A IRF7353D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K VDSS = 30V l Ideal For Buck Regulator Applications 2 7 A K l N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 l Low VF Schottky Rectifier S D l Generation 5 Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKY family

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IRF7351PBF

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IRF7351PBF

PD- 91802A IRF7353D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D Generation 5 Technology Schottky Vf = 0.39V SO-8 Footprint Top View Description The FETKY family

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History: EMB12N04V | BRI5N65 | SWF10N65D | 4N60G-TN3-R | AOWF2606 | SWD026R03VT | AP01L60H-HF

 

 

 

 

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