IRF7351PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7351PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0178 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7351PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7351PBF даташит
irf7351pbf.pdf
PD - 97436 IRF7351PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l Synchronous Rectifier MOSFET for 17.8m @VGS = 10V 60V 24nC Isolated DC-DC Converters l Low Power Motor Drive Systems 1 8 S1 D1 Benefits 2 7 G1 D1 l Ultra-Low Gate Impedance 3 6 S2 D2 l Fully Characterized Avalanche Voltage 4 5 G2 D2 and Current l 20V VGS Max. Gate Rating SO-8 Top
irf7353d1pbf.pdf
PD - 95251A IRF7353D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K VDSS = 30V l Ideal For Buck Regulator Applications 2 7 A K l N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 l Low VF Schottky Rectifier S D l Generation 5 Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKY family
irf7353d1.pdf
PD- 91802A IRF7353D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D Generation 5 Technology Schottky Vf = 0.39V SO-8 Footprint Top View Description The FETKY family
Другие MOSFET... IRF7341G , IRF7341IPBF , IRF7342D2PBF , IRF7342PBF-1 , IRF7342QPBF , IRF7343IPBF , IRF7343QPBF , IRF734PBF , 7N65 , SD10425 , SD200DC , SD201DC , SD202DC , SD203DC , SD210 , SD2100 , SD210DE .
History: RTQ020N03 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | JBE112T | SWD070R08E7T | 4N60G-TND-R
History: RTQ020N03 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | JBE112T | SWD070R08E7T | 4N60G-TND-R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet






