SEFN9140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SEFN9140
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 85 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-1

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SEFN9140 Datasheet (PDF)

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sefn9140.pdf

SEMITRONICS CORP. SEFN9140 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Suppli

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