SEFN9140 Todos los transistores

 

SEFN9140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SEFN9140
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-1
 

 Búsqueda de reemplazo de SEFN9140 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SEFN9140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  semitronics
 sefn9140.pdf pdf_icon

SEFN9140

SEMITRONICS CORP. SEFN9140 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Suppli

Otros transistores... SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , CS150N03A8 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 , SF1116 .

History: HMS21N65 | DH033N04 | APT20M20B2FLLG | 2N60K | STU75N3LLH6 | BL12N70-A | NVMFS4C302N

 

 
Back to Top

 


 
.