Справочник MOSFET. SEFN9140

 

SEFN9140 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SEFN9140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SMD-1
 

 Аналог (замена) для SEFN9140

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SEFN9140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  semitronics
 sefn9140.pdf pdf_icon

SEFN9140

SEMITRONICS CORP. SEFN9140 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Suppli

Другие MOSFET... SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , CS150N03A8 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 , SF1116 .

History: AP9971GS | AUIRLR3110Z | JSM7410 | 2SK2590 | FHD100N03C | 2SK3677-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.