SEFN9140 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SEFN9140
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: SMD-1
Аналог (замена) для SEFN9140
SEFN9140 Datasheet (PDF)
sefn9140.pdf
SEMITRONICS CORP. SEFN9140 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Suppli
Другие MOSFET... SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , IRF520 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 , SF1116 .
History: SI4848ADY | JMSL0302PU | UT6898G-S08-R | AUIRF7309Q | 2SJ344 | AP2346GN | FDS6986AS
History: SI4848ADY | JMSL0302PU | UT6898G-S08-R | AUIRF7309Q | 2SJ344 | AP2346GN | FDS6986AS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345


