SEFY9130C Todos los transistores

 

SEFY9130C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SEFY9130C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
 

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SEFY9130C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  semitronics
 sefy9130c.pdf pdf_icon

SEFY9130C

SEMITRONICS CORP. SEFY9130C 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Improved Gate, Avalanche and dynamic dv.dt Ruggedness Hermetically Sealed MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

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History: P2E03BK | CS4N65A3HD | HY150N075T | DAMH160N200 | MSK7804 | 2SK2478 | JCS7N65CB

 

 
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