SEFY9130C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SEFY9130C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-257
Аналог (замена) для SEFY9130C
SEFY9130C Datasheet (PDF)
sefy9130c.pdf
SEMITRONICS CORP. SEFY9130C 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Improved Gate, Avalanche and dynamic dv.dt Ruggedness Hermetically Sealed MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies
Другие MOSFET... SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , IRFZ24N , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 , SF1116 , SFF044J , SFF054 , SFF054C .
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
History: IXFY26N30X3 | SW2N65 | SM4805DSK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611


