Справочник MOSFET. SEFY9130C

 

SEFY9130C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SEFY9130C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для SEFY9130C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SEFY9130C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  semitronics
 sefy9130c.pdf pdf_icon

SEFY9130C

SEMITRONICS CORP. SEFY9130C 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 P-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Improved Gate, Avalanche and dynamic dv.dt Ruggedness Hermetically Sealed MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

Другие MOSFET... SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , AON6380 , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 , SF1116 , SFF044J , SFF054 , SFF054C .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.