SES779 Todos los transistores

 

SES779 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SES779
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-1
 

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SES779 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  semitronics
 ses779.pdf pdf_icon

SES779

SEMITRONICS CORP. SES779 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

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