SES779 - описание и поиск аналогов

 

SES779. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SES779

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SMD-1

Аналог (замена) для SES779

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SES779 даташит

 ..1. Size:251K  semitronics
 ses779.pdf pdf_icon

SES779

SEMITRONICS CORP. SES779 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

Другие MOSFET... SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , 75N75 , SF1116 , SFF044J , SFF054 , SFF054C , SH8J62 , SH8J65 , SH8K11 , SH8K12 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.