Справочник MOSFET. SES779

 

SES779 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SES779
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SMD-1
 

 Аналог (замена) для SES779

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SES779 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  semitronics
 ses779.pdf pdf_icon

SES779

SEMITRONICS CORP. SES779 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

Другие MOSFET... SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , IRF520 , SF1116 , SFF044J , SFF054 , SFF054C , SH8J62 , SH8J65 , SH8K11 , SH8K12 .

History: CTD04N11P5 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | APT38N60SC6 | CS10N65FA9HD | HM1607D | TPA60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.