SH8K32 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SH8K32  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SH8K32 datasheet

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SH8K32

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K32 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic ordering unit (piec

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