SH8K32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SH8K32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8K32

SH8K32 Datasheet (PDF)

..1. Size:116K rohm
sh8k32.pdf

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K32 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)(8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic ordering unit (piec

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: