SH8K32 Todos los transistores

 

SH8K32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SH8K32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SH8K32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  rohm
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SH8K32

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K32 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)(8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic ordering unit (piec

Otros transistores... SH8K11 , SH8K12 , SH8K13 , SH8K14 , SH8K15 , SH8K22 , SH8K25 , SH8K26 , MMD60R360PRH , SH8M11 , SH8M12 , SH8M13 , SH8M14 , SH8M24 , SH8M41 , SHD217302A , SHD218409B .

History: HTD2K4P15T | NTJS4405NT1 | NCE85H21C | AOB409L | SHD225628 | HM1607D

 

 
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