SH8K32 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SH8K32  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SH8K32

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8K32 даташит

 ..1. Size:116K  rohm
 sh8k32.pdf pdf_icon

SH8K32

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K32 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic ordering unit (piec

Другие IGBT... SH8K11, SH8K12, SH8K13, SH8K14, SH8K15, SH8K22, SH8K25, SH8K26, RU7088R, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, SH8M24, SH8M41, SHD217302A, SHD218409B