Справочник MOSFET. SH8K32

 

SH8K32 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SH8K32
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SH8K32

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8K32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  rohm
 sh8k32.pdf pdf_icon

SH8K32

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K32 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)(8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic ordering unit (piec

Другие MOSFET... SH8K11 , SH8K12 , SH8K13 , SH8K14 , SH8K15 , SH8K22 , SH8K25 , SH8K26 , MMD60R360PRH , SH8M11 , SH8M12 , SH8M13 , SH8M14 , SH8M24 , SH8M41 , SHD217302A , SHD218409B .

History: WM02P23M | AP9926 | SI1026X | 2SK3492 | 2SK857 | BSC100N10NSFG

 

 
Back to Top

 


 
.