SH8M24 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SH8M24  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SH8M24 datasheet

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SH8M24

4V Drive Nch+Pch MOSFET SH8M24 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic

Otros transistores... SH8K22, SH8K25, SH8K26, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, IRFP064N, SH8M41, SHD217302A, SHD218409B, SHD218414B, SHD218501B, SHD218502B, SHD218504B, SHD218505B