SH8M24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SH8M24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de SH8M24 MOSFET
SH8M24 Datasheet (PDF)
sh8m24.pdf

4V Drive Nch+Pch MOSFET SH8M24 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic
Otros transistores... SH8K22 , SH8K25 , SH8K26 , SH8K32 , SH8M11 , SH8M12 , SH8M13 , SH8M14 , 5N50 , SH8M41 , SHD217302A , SHD218409B , SHD218414B , SHD218501B , SHD218502B , SHD218504B , SHD218505B .
History: AP0603GH | AP2P9R0LYT | SRT12N058HD56
History: AP0603GH | AP2P9R0LYT | SRT12N058HD56



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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