SH8M24 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SH8M24  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SH8M24

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8M24 даташит

 ..1. Size:96K  rohm
 sh8m24.pdf pdf_icon

SH8M24

4V Drive Nch+Pch MOSFET SH8M24 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic

Другие IGBT... SH8K22, SH8K25, SH8K26, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, IRFP064N, SH8M41, SHD217302A, SHD218409B, SHD218414B, SHD218501B, SHD218502B, SHD218504B, SHD218505B