SH8M41 Todos los transistores

 

SH8M41 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SH8M41
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SH8M41 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  rohm
 sh8m41.pdf pdf_icon

SH8M41

4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M41 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/SOP8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6)Features1) Low on-resistance.(2) (3)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBas

Otros transistores... SH8K25 , SH8K26 , SH8K32 , SH8M11 , SH8M12 , SH8M13 , SH8M14 , SH8M24 , IRFP064N , SHD217302A , SHD218409B , SHD218414B , SHD218501B , SHD218502B , SHD218504B , SHD218505B , SHD218507B .

History: 2SK1269 | UPA2820T1S

 

 
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