SH8M41 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SH8M41  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SH8M41 datasheet

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SH8M41

4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M41 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ SOP8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) Features 1) Low on-resistance. (2) (3) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Bas

Otros transistores... SH8K25, SH8K26, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, SH8M24, AO4468, SHD217302A, SHD218409B, SHD218414B, SHD218501B, SHD218502B, SHD218504B, SHD218505B, SHD218507B