SH8M41 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SH8M41  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SH8M41

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8M41 даташит

 ..1. Size:186K  rohm
 sh8m41.pdf pdf_icon

SH8M41

4V Drive Nch + Pch MOSFET SH8M41 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ SOP8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) Features 1) Low on-resistance. (2) (3) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Bas

Другие IGBT... SH8K25, SH8K26, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, SH8M24, AO4468, SHD217302A, SHD218409B, SHD218414B, SHD218501B, SHD218502B, SHD218504B, SHD218505B, SHD218507B