IRL2203NL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRL2203NL 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: TO262
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IRL2203NL datasheet
irl2203nlpbf irl2203nspbf.pdf
PD - 95219A IRL2203NSPbF IRL2203NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0m G l 100% RG Tested l Lead-Free ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced
irl2203nspbf irl2203nlpbf.pdf
PD - 95219A IRL2203NSPbF IRL2203NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0m G l 100% RG Tested l Lead-Free ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced
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PD - 94394 IRL2203NS IRL2203NL HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 7.0m Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 116A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely lo
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PD - 94953 IRL2203NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D VDSS = 30V l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 7.0m G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 116A l Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extr
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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