SHD619532 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHD619532
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC-3P
Búsqueda de reemplazo de SHD619532 MOSFET
SHD619532 Datasheet (PDF)
shd619532.pdf

SENSITRON ______ SHD619532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5313, REV - 1200V, 23A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitances JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 23 A
Otros transistores... SHD239603 , SHD239604 , SHD239606 , SHD239607 , SHD239608 , SHD246723 , SHD280502 , SHD280504 , IRFB4110 , SHD626532 , SHDC220212 , SHDC220213 , SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF .
History: SFS04R02GF | 2SK1019 | TK290A60Y | IPI14N03LA | CSD87588N | RU30120L | 8N60H
History: SFS04R02GF | 2SK1019 | TK290A60Y | IPI14N03LA | CSD87588N | RU30120L | 8N60H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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