SHD619532 Todos los transistores

 

SHD619532 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SHD619532
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC-3P
 

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SHD619532 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  sensitron
 shd619532.pdf pdf_icon

SHD619532

SENSITRON ______ SHD619532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5313, REV - 1200V, 23A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitances JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 23 A

Otros transistores... SHD239603 , SHD239604 , SHD239606 , SHD239607 , SHD239608 , SHD246723 , SHD280502 , SHD280504 , IRFB4110 , SHD626532 , SHDC220212 , SHDC220213 , SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF .

History: SMK0160IS | APT20M34BLL | R6035KNZ1 | ALD1106SBL | CS10N60P | FQPF10N60CT | IRFH5302DPBF

 

 
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