SHD619532 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SHD619532  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: LCC-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SHD619532

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SHD619532 даташит

 ..1. Size:159K  sensitron
 shd619532.pdf pdf_icon

SHD619532

SENSITRON ______ SHD619532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5313, REV - 1200V, 23A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitances JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 23 A

Другие IGBT... SHD239603, SHD239604, SHD239606, SHD239607, SHD239608, SHD246723, SHD280502, SHD280504, AON6414A, SHD626532, SHDC220212, SHDC220213, SHDC220301, IRF7353D1PBF, IRF7353D2PBF, IRF7379IPBF, IRF7379QPBF