Справочник MOSFET. SHD619532

 

SHD619532 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SHD619532
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: LCC-3P
 

 Аналог (замена) для SHD619532

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SHD619532 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  sensitron
shd619532.pdfpdf_icon

SHD619532

SENSITRON ______ SHD619532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5313, REV - 1200V, 23A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitances JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 23 A

Другие MOSFET... SHD239603 , SHD239604 , SHD239606 , SHD239607 , SHD239608 , SHD246723 , SHD280502 , SHD280504 , IRFB4110 , SHD626532 , SHDC220212 , SHDC220213 , SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF .

History: 2N6969 | IRFP1405PBF

 

 
Back to Top

 


 
.