SHD619532 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SHD619532
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: LCC-3P
Аналог (замена) для SHD619532
SHD619532 Datasheet (PDF)
shd619532.pdf
SENSITRON ______ SHD619532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5313, REV - 1200V, 23A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitances JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 23 A
Другие MOSFET... SHD239603 , SHD239604 , SHD239606 , SHD239607 , SHD239608 , SHD246723 , SHD280502 , SHD280504 , AON6414A , SHD626532 , SHDC220212 , SHDC220213 , SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P30S | AP20N100Q | AP20N06T | AP2080Q | AP2080KA | AP2055K | AP2045KD | AP2035Q | AP2035G | AP2022S | AP2012S | AP2012 | AP200N04D | AP200N04 | AP2003 | AP18P30Q
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b


