SHD626532 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SHD626532  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO-257

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SHD626532 datasheet

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SHD626532

SENSITRON ______ SHD626532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5312, REV - 1200V, 20A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitance JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 20 A 1

Otros transistores... SHD239604, SHD239606, SHD239607, SHD239608, SHD246723, SHD280502, SHD280504, SHD619532, IRFB4115, SHDC220212, SHDC220213, SHDC220301, IRF7353D1PBF, IRF7353D2PBF, IRF7379IPBF, IRF7379QPBF, IRF737LCPBF