SHD626532 Todos los transistores

 

SHD626532 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SHD626532
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
 

 Búsqueda de reemplazo de SHD626532 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SHD626532 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  sensitron
 shd626532.pdf pdf_icon

SHD626532

SENSITRON ______ SHD626532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5312, REV - 1200V, 20A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitance JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 20 A 1

Otros transistores... SHD239604 , SHD239606 , SHD239607 , SHD239608 , SHD246723 , SHD280502 , SHD280504 , SHD619532 , AON6414A , SHDC220212 , SHDC220213 , SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF , IRF737LCPBF .

History: RSD160P05FRA | FDMS8692

 

 
Back to Top

 


 
.