SHD626532 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SHD626532  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO-257

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SHD626532

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SHD626532 даташит

 ..1. Size:178K  sensitron
 shd626532.pdf pdf_icon

SHD626532

SENSITRON ______ SHD626532 SEMICONDUCTOR DATASHEET 5312, REV - 1200V, 20A Silicon Carbide Power MOSFET Through-hole hermetic package Low Rdson over full temperature range Low switching losses Very low capacitance JANTX / JANS screening options available Maximum Ratings PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Continuous Drain Current Vgs = 20V, Tc=250C Id 20 A 1

Другие IGBT... SHD239604, SHD239606, SHD239607, SHD239608, SHD246723, SHD280502, SHD280504, SHD619532, IRFB4115, SHDC220212, SHDC220213, SHDC220301, IRF7353D1PBF, IRF7353D2PBF, IRF7379IPBF, IRF7379QPBF, IRF737LCPBF