SHDG225509 Todos los transistores

 

SHDG225509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SHDG225509
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254
 

 Búsqueda de reemplazo de SHDG225509 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SHDG225509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  sensitron
 shdc225509 shdg225509.pdf pdf_icon

SHDG225509

SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE S

Otros transistores... IRF7401PBF-1 , IRF7402PBF , IRF7403PBF , SHDC220455 , SHDC224701 , SHDC225456 , SHDC225509 , SHDCG225715 , IRFB3607 , SIA400EDJ , SIA406DJ , SIA408DJ , SIA411DJ , SIA413ADJ , SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ .

History: BUZ308

 

 
Back to Top

 


 
.