SHDG225509 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SHDG225509  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-254

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SHDG225509 datasheet

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SHDG225509

SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE S

Otros transistores... IRF7401PBF-1, IRF7402PBF, IRF7403PBF, SHDC220455, SHDC224701, SHDC225456, SHDC225509, SHDCG225715, K4145, SIA400EDJ, SIA406DJ, SIA408DJ, SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ