SHDG225509 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SHDG225509  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-254

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SHDG225509

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SHDG225509 даташит

 ..1. Size:37K  sensitron
 shdc225509 shdg225509.pdf pdf_icon

SHDG225509

SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE S

Другие IGBT... IRF7401PBF-1, IRF7402PBF, IRF7403PBF, SHDC220455, SHDC224701, SHDC225456, SHDC225509, SHDCG225715, P55NF06, SIA400EDJ, SIA406DJ, SIA408DJ, SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ