Справочник MOSFET. SHDG225509

 

SHDG225509 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SHDG225509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
 

 Аналог (замена) для SHDG225509

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SHDG225509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  sensitron
 shdc225509 shdg225509.pdf pdf_icon

SHDG225509

SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE S

Другие MOSFET... IRF7401PBF-1 , IRF7402PBF , IRF7403PBF , SHDC220455 , SHDC224701 , SHDC225456 , SHDC225509 , SHDCG225715 , IRFB3607 , SIA400EDJ , SIA406DJ , SIA408DJ , SIA411DJ , SIA413ADJ , SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ .

History: IRF7410GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.