SHDG225509 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SHDG225509
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-254
Аналог (замена) для SHDG225509
SHDG225509 Datasheet (PDF)
shdc225509 shdg225509.pdf
SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE S
Другие MOSFET... IRF7401PBF-1 , IRF7402PBF , IRF7403PBF , SHDC220455 , SHDC224701 , SHDC225456 , SHDC225509 , SHDCG225715 , IRFB3607 , SIA400EDJ , SIA406DJ , SIA408DJ , SIA411DJ , SIA413ADJ , SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ .
History: IRF7410GPBF | IRF7410PBF | IRF7413QPBF
History: IRF7410GPBF | IRF7410PBF | IRF7413QPBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008


