Справочник MOSFET. SHDG225509

 

SHDG225509 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SHDG225509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-254
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SHDG225509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  sensitron
 shdc225509 shdg225509.pdf pdf_icon

SHDG225509

SENSITRON SHD225509 SHDC225509 SEMICONDUCTOR SHDG225509 TECHNICAL DATA DATA SHEET 4964, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: 1000 Volt, 6A, 2 Ohm, MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Fast intrinsic Rectifier Low RDS (on) Ceramic Seals with Glidcop leads (SHDG225509) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQD4P25TM | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | 75307D3 | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.