SIA430DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA430DJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6L
Búsqueda de reemplazo de SIA430DJ MOSFET
SIA430DJ Datasheet (PDF)
sia430dj.pdf
New ProductSiA430DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.0135 at VGS = 10 V 12aCOMPLIANT20 5.3 nCSC-70 Package0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load SwitchPowerPAK
sia430djt.pdf
SiA430DJTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) b, c Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0135 at VGS = 10 V 12 a20 5.3 nC - Small footprint area0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Ultra-thin 0.6 mm height 100 % Rg testedThin PowerPAK SC-70-6L Si
sia431dj.pdf
New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0
sia437dj.pdf
SiA437DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7- Small footprint area0.0205 at VGS = -2.5 V -25-20 28 nC- Low On-Resistance0.0330 at VGS = -1.8 V -19.70.0650 at VGS = -1.5 V -4
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History: SIHFD9024 | RJK0653DPB | KP809B | SIA439EDJ
History: SIHFD9024 | RJK0653DPB | KP809B | SIA439EDJ
Liste
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