SIA430DJ Todos los transistores

 

SIA430DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA430DJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0135 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-70-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA430DJ

 

SIA430DJ Datasheet (PDF)

1.1. sia430dj.pdf Size:222K _upd-mosfet

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New Product SiA430DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A)b, c Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® RoHS 0.0135 at VGS = 10 V 12a COMPLIANT 20 5.3 nC SC-70 Package 0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Small Footprint Area APPLICATIONS • Load Switch PowerPAK

1.2. sia430djt.pdf Size:227K _upd-mosfet

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SiA430DJT www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) RDS(on) (Ω) MAX. ID (A) b, c Qg (Typ.) • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package 0.0135 at VGS = 10 V 12 a 20 5.3 nC - Small footprint area 0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Ultra-thin 0.6 mm height • 100 % Rg tested Thin PowerPAK® SC-70-6L Si

 1.3. sia430dj.pdf Size:220K _vishay

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