SIA430DJ - аналоги и даташиты транзистора

 

SIA430DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIA430DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L

 Аналог (замена) для SIA430DJ

 

SIA430DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  vishay
sia430dj.pdfpdf_icon

SIA430DJ

New Product SiA430DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.0135 at VGS = 10 V 12a COMPLIANT 20 5.3 nC SC-70 Package 0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Small Footprint Area APPLICATIONS Load Switch PowerPAK

 0.1. Size:227K  vishay
sia430djt.pdfpdf_icon

SIA430DJ

SiA430DJT www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) b, c Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.0135 at VGS = 10 V 12 a 20 5.3 nC - Small footprint area 0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Ultra-thin 0.6 mm height 100 % Rg tested Thin PowerPAK SC-70-6L Si

 9.1. Size:216K  vishay
sia431dj.pdfpdf_icon

SIA430DJ

New Product SiA431DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK 0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package - 12a - Small Footprint Area 0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 20 24 nC 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested 0

 9.2. Size:253K  vishay
sia437dj.pdfpdf_icon

SIA430DJ

SiA437DJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7 - Small footprint area 0.0205 at VGS = -2.5 V -25 -20 28 nC - Low On-Resistance 0.0330 at VGS = -1.8 V -19.7 0.0650 at VGS = -1.5 V -4

Другие MOSFET... SIA418DJ , SIA419DJ , SIA421DJ , SIA425EDJ , SIA426DJ , SIA427ADJ , SIA427DJ , SIA429DJT , IRF1407 , SIA430DJT , SIA431DJ , SIA432DJ , SIA433EDJ , SIA436DJ , SIA437DJ , SIA438EDJ , SIA439EDJ .

History: ZVN3320FTC | ZVN4106FTA | UT50N03 | ZVN3306FTA | SUP70060E

 

 
Back to Top

 


 
.