SIA483DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIA483DJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 29 nC
   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA483DJ

SIA483DJ Datasheet (PDF)

..1. Size:227K vishay
sia483dj.pdf

New ProductSiA483DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package- Small Footprint Area0.021at VGS = - 10 V - 12a- 30 21 nC- Low On-Resistance0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization:For d

9.1. Size:240K vishay
sia485dj.pdf

SiA485DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 2.6 at VGS = -10 V -1.6 a-150 4.2 nC- Small footprint area 2.7 at VGS = -6 V -1.6 a- Low on-resistancePowerPAK SC-70-6L Single 100 % Rg and UIS testedD

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Liste

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