Справочник MOSFET. SIA483DJ

 

SIA483DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA483DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA483DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA483DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sia483dj.pdf pdf_icon

SIA483DJ

New ProductSiA483DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package- Small Footprint Area0.021at VGS = - 10 V - 12a- 30 21 nC- Low On-Resistance0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization:For d

 9.1. Size:240K  vishay
 sia485dj.pdf pdf_icon

SIA483DJ

SiA485DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 2.6 at VGS = -10 V -1.6 a-150 4.2 nC- Small footprint area 2.7 at VGS = -6 V -1.6 a- Low on-resistancePowerPAK SC-70-6L Single 100 % Rg and UIS testedD

Другие MOSFET... SIA449DJ , SIA450DJ , SIA453EDJ , SIA456DJ , SIA459EDJ , SIA461DJ , SIA462DJ , SIA466EDJ , 60N06 , SIA485DJ , SIA519EDJ , SIA527DJ , SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , SIA811DJ .

History: SM2A06NSU | CTB06N7P5 | UT8205AG-AG6-R | BSZ900N15NS3G | RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.