Справочник MOSFET. SIA483DJ

 

SIA483DJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA483DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L

 Аналог (замена) для SIA483DJ

 

 

SIA483DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sia483dj.pdf

SIA483DJ SIA483DJ

New ProductSiA483DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package- Small Footprint Area0.021at VGS = - 10 V - 12a- 30 21 nC- Low On-Resistance0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization:For d

 9.1. Size:240K  vishay
 sia485dj.pdf

SIA483DJ SIA483DJ

SiA485DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 2.6 at VGS = -10 V -1.6 a-150 4.2 nC- Small footprint area 2.7 at VGS = -6 V -1.6 a- Low on-resistancePowerPAK SC-70-6L Single 100 % Rg and UIS testedD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top