SIA485DJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA485DJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: SC-70-6L

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SIA485DJ datasheet

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SIA485DJ

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SIA485DJ

New Product SiA483DJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package - Small Footprint Area 0.021at VGS = - 10 V - 12a - 30 21 nC - Low On-Resistance 0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization For d

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