Справочник MOSFET. SIA485DJ

 

SIA485DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA485DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA485DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA485DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
 sia485dj.pdf pdf_icon

SIA485DJ

SiA485DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 2.6 at VGS = -10 V -1.6 a-150 4.2 nC- Small footprint area 2.7 at VGS = -6 V -1.6 a- Low on-resistancePowerPAK SC-70-6L Single 100 % Rg and UIS testedD

 9.1. Size:227K  vishay
 sia483dj.pdf pdf_icon

SIA485DJ

New ProductSiA483DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package- Small Footprint Area0.021at VGS = - 10 V - 12a- 30 21 nC- Low On-Resistance0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization:For d

Другие MOSFET... SIA450DJ , SIA453EDJ , SIA456DJ , SIA459EDJ , SIA461DJ , SIA462DJ , SIA466EDJ , SIA483DJ , AON7403 , SIA519EDJ , SIA527DJ , SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , SIA811DJ , SIA813DJ .

History: IPB80N04S2-04 | CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.