Справочник MOSFET. SIA485DJ

 

SIA485DJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA485DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.2 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L

 Аналог (замена) для SIA485DJ

 

 

SIA485DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
 sia485dj.pdf

SIA485DJ SIA485DJ

SiA485DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 2.6 at VGS = -10 V -1.6 a-150 4.2 nC- Small footprint area 2.7 at VGS = -6 V -1.6 a- Low on-resistancePowerPAK SC-70-6L Single 100 % Rg and UIS testedD

 9.1. Size:227K  vishay
 sia483dj.pdf

SIA485DJ SIA485DJ

New ProductSiA483DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package- Small Footprint Area0.021at VGS = - 10 V - 12a- 30 21 nC- Low On-Resistance0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization:For d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top