SIA485DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA485DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA485DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA485DJ даташит

 ..1. Size:240K  vishay
 sia485dj.pdf pdf_icon

SIA485DJ

 9.1. Size:227K  vishay
 sia483dj.pdf pdf_icon

SIA485DJ

New Product SiA483DJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package - Small Footprint Area 0.021at VGS = - 10 V - 12a - 30 21 nC - Low On-Resistance 0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a 100 % Rg Tested Material categorization For d

Другие IGBT... SIA450DJ, SIA453EDJ, SIA456DJ, SIA459EDJ, SIA461DJ, SIA462DJ, SIA466EDJ, SIA483DJ, IRF9640, SIA519EDJ, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ