SIA850DJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA850DJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 190 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA850DJ datasheet

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SIA850DJ

New Product SiA850DJ Vishay Siliconix N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK 190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nC SC-70 Package 17 at VGS = 1.8 V 0.3 - Small

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