SIA850DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA850DJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 190 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA850DJ
SIA850DJ Datasheet (PDF)
sia850dj.pdf
New ProductSiA850DJVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nCSC-70 Package17 at VGS = 1.8 V 0.3- Small
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Liste
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