SIA850DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA850DJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 190 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
Carga de la puerta (Qg): 3 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA850DJ
SIA850DJ Datasheet (PDF)
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New ProductSiA850DJVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nCSC-70 Package17 at VGS = 1.8 V 0.3- Small
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
