SIA850DJ Todos los transistores

 

SIA850DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA850DJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6
 

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SIA850DJ Datasheet (PDF)

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SIA850DJ

New ProductSiA850DJVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nCSC-70 Package17 at VGS = 1.8 V 0.3- Small

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History: AM4430N | VBA1405 | RU1Z120R | FKV460S | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03

 

 
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