Справочник MOSFET. SIA850DJ

 

SIA850DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA850DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA850DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA850DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  vishay
 sia850dj.pdf pdf_icon

SIA850DJ

New ProductSiA850DJVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nCSC-70 Package17 at VGS = 1.8 V 0.3- Small

Другие MOSFET... SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , SIA811DJ , SIA813DJ , SIA814DJ , SIA817EDJ , IRFP064N , SIA906EDJ , SIA907EDJT , SIA910EDJ , SIA911ADJ , SIA913ADJ , SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ .

History: FDS7096N3 | IPA50R380CE | PK615BMA | IRFP4332PBF | AP92T03GS | SSM4924GM | VBZE100N03

 

 
Back to Top

 


 
.