SIA850DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA850DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 190 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA850DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA850DJ даташит

 ..1. Size:111K  vishay
 sia850dj.pdf pdf_icon

SIA850DJ

New Product SiA850DJ Vishay Siliconix N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK 190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nC SC-70 Package 17 at VGS = 1.8 V 0.3 - Small

Другие IGBT... SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ, AO4468, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ