Справочник MOSFET. SIA850DJ

 

SIA850DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA850DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA850DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  vishay
 sia850dj.pdf pdf_icon

SIA850DJ

New ProductSiA850DJVishay SiliconixN-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET3.8 at VGS = 4.5 V 0.95 New Thermally Enhanced PowerPAK190 4.2 at VGS = 2.5 V 0.9 1.4 nCSC-70 Package17 at VGS = 1.8 V 0.3- Small

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.