SIA910EDJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA910EDJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: SC-70-6
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SIA910EDJ datasheet
sia910edj.pdf
SiA910EDJ Vishay Siliconix Dual N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Thermally Enhanced PowerPAK ID (A)a Qg (Typ.) SC-70 Package 0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 - Small Footprint Area 12 0.033 at VGS = 2.5 V 6.2 nC 4.5 - Low On-Resistance Typical ESD Protection 2400 V 0.042 at Vgs = 1.8 V 4.5 100 % R
sia914adj.pdf
SiA914ADJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.043 at VGS = 4.5 V 4.5 SC-70 Package 0.045 at VGS = 3.7 V 4.5 - Small Footprint Area 20 3.5 nC 0.050 at VGS = 2.5 V 4.5 - Low On-Resistance 0.063 at VGS = 1.8 V 4
sia914dj.pdf
New Product SiA914DJ Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 20 4.5 4.1 nC - Small Footprint Area 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Low On-Resi
sia913adj.pdf
New Product SiA913ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.061 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.081 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.5a 8.2 nC SC-70 Package 0.115 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint
Otros transistores... SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, IRF3205, SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ
History: HGM110N08A | HGM090NE6AL | TK200F04N1L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
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