Справочник MOSFET. SIA910EDJ

 

SIA910EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA910EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA910EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
sia910edj.pdfpdf_icon

SIA910EDJ

SiA910EDJVishay SiliconixDual N-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Thermally Enhanced PowerPAKID (A)a Qg (Typ.)SC-70 Package0.028 at VGS = 4.5 V 4.5- Small Footprint Area12 0.033 at VGS = 2.5 V 6.2 nC4.5 - Low On-Resistance Typical ESD Protection: 2400 V0.042 at Vgs = 1.8 V 4.5 100 % R

 9.1. Size:280K  vishay
sia914adj.pdfpdf_icon

SIA910EDJ

SiA914ADJwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.043 at VGS = 4.5 V 4.5SC-70 Package0.045 at VGS = 3.7 V 4.5- Small Footprint Area20 3.5 nC0.050 at VGS = 2.5 V 4.5- Low On-Resistance0.063 at VGS = 1.8 V 4

 9.2. Size:225K  vishay
sia914dj.pdfpdf_icon

SIA910EDJ

New ProductSiA914DJVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 20 4.5 4.1 nC- Small Footprint Area0.077 at VGS = 1.8 V 4.5- Low On-Resi

 9.3. Size:192K  vishay
sia913adj.pdfpdf_icon

SIA910EDJ

New ProductSiA913ADJVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.061 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK0.081 at VGS = - 2.5 V - 12- 4.5a 8.2 nCSC-70 Package0.115 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.