SIA911ADJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA911ADJ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.116 Ohm
Encapsulados: SC-70-6
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SIA911ADJ datasheet
sia911adj.pdf
New Product SiA911ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.155 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5
sia911ad.pdf
New Product SiA911ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.155 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5
sia911dj.pdf
SiA911DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.131 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5a - Low On-Re
sia911ed.pdf
SiA911EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.101 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.141 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC SC-70 Package 0.192 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footpr
Otros transistores... SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, IRF740, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ, SIA929DJ
History: TK20E60W
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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