Справочник MOSFET. SIA911ADJ

 

SIA911ADJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA911ADJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA911ADJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA911ADJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  vishay
sia911adj.pdfpdf_icon

SIA911ADJ

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5

 6.1. Size:188K  vishay
sia911ad.pdfpdf_icon

SIA911ADJ

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5

 8.1. Size:192K  vishay
sia911dj.pdfpdf_icon

SIA911ADJ

SiA911DJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.131 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5a- Low On-Re

 8.2. Size:200K  vishay
sia911ed.pdfpdf_icon

SIA911ADJ

SiA911EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.101 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK0.141 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCSC-70 Package0.192 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footpr

Другие MOSFET... SIA811DJ , SIA813DJ , SIA814DJ , SIA817EDJ , SIA850DJ , SIA906EDJ , SIA907EDJT , SIA910EDJ , IRF740 , SIA913ADJ , SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ , SIA921EDJ , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ .

History: BUK9E3R2-40B | LSD65R180GT | SM6107PSU | SUP60N10-18P | PHP79NQ08LT | LSH60R2K5HT | KO3415

 

 
Back to Top

 


 
.