Справочник MOSFET. SIA911ADJ

 

SIA911ADJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA911ADJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6

 Аналог (замена) для SIA911ADJ

 

 

SIA911ADJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  vishay
 sia911adj.pdf

SIA911ADJ SIA911ADJ

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5

 6.1. Size:188K  vishay
 sia911ad.pdf

SIA911ADJ SIA911ADJ

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5

 8.1. Size:192K  vishay
 sia911dj.pdf

SIA911ADJ SIA911ADJ

SiA911DJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.131 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5a- Low On-Re

 8.2. Size:200K  vishay
 sia911ed.pdf

SIA911ADJ SIA911ADJ

SiA911EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.101 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK0.141 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCSC-70 Package0.192 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footpr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top