SIA911ADJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA911ADJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA911ADJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA911ADJ даташит

 ..1. Size:189K  vishay
 sia911adj.pdf pdf_icon

SIA911ADJ

New Product SiA911ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.155 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5

 6.1. Size:188K  vishay
 sia911ad.pdf pdf_icon

SIA911ADJ

New Product SiA911ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.155 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5

 8.1. Size:192K  vishay
 sia911dj.pdf pdf_icon

SIA911ADJ

SiA911DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.131 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area - 4.5a - Low On-Re

 8.2. Size:200K  vishay
 sia911ed.pdf pdf_icon

SIA911ADJ

SiA911EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.101 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.141 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.5a 4.9 nC SC-70 Package 0.192 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footpr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, IRF740, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ, SIA929DJ