SIA911ADJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIA911ADJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIA911ADJ Datasheet (PDF)
sia911adj.pdf

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5
sia911ad.pdf

New ProductSiA911ADJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.155 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5
sia911dj.pdf

SiA911DJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.131 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 4.5a- Low On-Re
sia911ed.pdf

SiA911EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.101 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK0.141 at VGS = - 2.5 V - 20- 4.5a 4.9 nCSC-70 Package0.192 at VGS = - 1.8 V - 2 - Small Footpr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FMP20N60S1 | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | IXTR20P50P | OSG55R074HSZF
History: FMP20N60S1 | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | IXTR20P50P | OSG55R074HSZF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor