SIA975DJ Todos los transistores

 

SIA975DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA975DJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6
 

 Búsqueda de reemplazo de SIA975DJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIA975DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 sia975dj.pdf pdf_icon

SIA975DJ

New ProductSiA975DJVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK- 4.5a 10.5 nCSC-70 Package0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

Otros transistores... SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ , SIA921EDJ , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ , SIA931DJ , IRLZ44N , SIB404DK , SIB406EDK , SIB408DK , SIB410DK , SIB411DK , SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK .

History: SIA922EDJ | SIA921EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.