SIA975DJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA975DJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: SC-70-6

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SIA975DJ datasheet

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SIA975DJ

New Product SiA975DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET 0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK - 4.5a 10.5 nC SC-70 Package 0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

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