SIA975DJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIA975DJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA975DJ

SIA975DJ Datasheet (PDF)

..1. Size:228K vishay
sia975dj.pdf

New ProductSiA975DJVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK- 4.5a 10.5 nCSC-70 Package0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: