Справочник MOSFET. SIA975DJ

 

SIA975DJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA975DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 260 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6

 Аналог (замена) для SIA975DJ

 

 

SIA975DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 sia975dj.pdf

SIA975DJ SIA975DJ

New ProductSiA975DJVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK- 4.5a 10.5 nCSC-70 Package0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top