Справочник MOSFET. SIA975DJ

 

SIA975DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA975DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA975DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA975DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 sia975dj.pdf pdf_icon

SIA975DJ

New ProductSiA975DJVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK- 4.5a 10.5 nCSC-70 Package0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

Другие MOSFET... SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ , SIA921EDJ , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ , SIA931DJ , IRFP260N , SIB404DK , SIB406EDK , SIB408DK , SIB410DK , SIB411DK , SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK .

History: TPCA8010-H | L2N60D | AOB266L | PZD502CYB | UPA1820GR

 

 
Back to Top

 


 
.