SIA975DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA975DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIA975DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA975DJ даташит

 ..1. Size:228K  vishay
 sia975dj.pdf pdf_icon

SIA975DJ

New Product SiA975DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = - 4.5 V - 4.5a TrenchFET Power MOSFET 0.060 at VGS = - 2.5 V - 12 New Thermally Enhanced PowerPAK - 4.5a 10.5 nC SC-70 Package 0.110 at VGS = - 1.8 V - 3.5

Другие IGBT... SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ, SIA929DJ, SIA931DJ, IRLZ44N, SIB404DK, SIB406EDK, SIB408DK, SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK, SIB413DK, SIB414DK