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SIB408DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIB408DK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L
 

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SIB408DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
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SIB408DK

New ProductSiB408DKVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 7a TrenchFET Power MOSFET30 2.9 nC0.050 at VGS = 4.5 V 7a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100

 9.1. Size:220K  vishay
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SIB408DK

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

 9.2. Size:222K  vishay
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SIB408DK

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

 9.3. Size:189K  vishay
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SIB408DK

New ProductSiB404DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.019 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK12 9.6 nC0.026 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.065

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History: 65N06H | FIR8N60FG | SM1A27PSU | HSU6040 | PMN25UN | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
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