SIB408DK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIB408DK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
Аналог (замена) для SIB408DK
SIB408DK Datasheet (PDF)
sib408dk.pdf

New ProductSiB408DKVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 7a TrenchFET Power MOSFET30 2.9 nC0.050 at VGS = 4.5 V 7a New Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance 100
sib406ed.pdf

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr
sib406edk.pdf

New ProductSiB406EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-75 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr
sib404dk.pdf

New ProductSiB404DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.019 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK12 9.6 nC0.026 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.065
Другие MOSFET... SIA921EDJ , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ , SIA931DJ , SIA975DJ , SIB404DK , SIB406EDK , 10N60 , SIB410DK , SIB411DK , SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK , SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK .
History: AO7417 | CEU02N6A | CJBB3139K | RJK1535DPJ | VBE165R02 | STD90N03L | YJQ40G10A
History: AO7417 | CEU02N6A | CJBB3139K | RJK1535DPJ | VBE165R02 | STD90N03L | YJQ40G10A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972