SIB417EDK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIB417EDK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SC-75-6L

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SIB417EDK datasheet

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SIB417EDK

SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are

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SIB417EDK

SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are

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SIB417EDK

SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG

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SIB417EDK

New Product SiB417DK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 4.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.070 at VGS = - 2.5 V COMPLIANT - 9a SC-75 Package - Small Footprint Area - 8 0.093 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.78 nC - Low On-

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