SIB417EDK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB417EDK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB417EDK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB417EDK даташит

 ..1. Size:209K  vishay
 sib417edk.pdf pdf_icon

SIB417EDK

SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are

 6.1. Size:207K  vishay
 sib417ed.pdf pdf_icon

SIB417EDK

SiB417EDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V - 9.0a TrenchFET Power MOSFET 0.080 at VGS = - 2.5 V - 9.0a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package - 8 0.100 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.3 nC - Small Footprint Are

 8.1. Size:218K  vishay
 sib417aedk.pdf pdf_icon

SIB417EDK

SiB417AEDK Vishay Siliconix P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)g Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.032 at VGS = - 4.5 V - 9a SC-75 Package 0.045 at VGS = - 2.5 V - Small Footprint Area - 9a - Low On-Resistance - 8 0.063 at VGS = - 1.8 V - 9a 11.3 nC 100 % Rg Tested 0.120 at VG

 8.2. Size:227K  vishay
 sib417dk.pdf pdf_icon

SIB417EDK

New Product SiB417DK Vishay Siliconix P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 4.5 V - 9a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.070 at VGS = - 2.5 V COMPLIANT - 9a SC-75 Package - Small Footprint Area - 8 0.093 at VGS = - 1.8 V - 4.0 7.78 nC - Low On-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK, SIB413DK, SIB414DK, SIB415DK, SIB417AEDK, SIB417DK, 8205A, SIB419DK, SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, SIB455EDK, SIB456DK