SIB422EDK Todos los transistores

 

SIB422EDK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIB422EDK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L
 

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SIB422EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
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SIB422EDK

New ProductSiB422EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.030 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.041 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK20 6 nC0.057 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.082 a

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History: 2SJ505L | BSC020N03LSG | BRCS2N65QF | IXFT30N60P | CS5N65D | OSG65R360DEF | AP6679BGH-HF

 

 
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