SIB422EDK Todos los transistores

 

SIB422EDK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIB422EDK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIB422EDK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIB422EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
 sib422edk.pdf pdf_icon

SIB422EDK

New ProductSiB422EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.030 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.041 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK20 6 nC0.057 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.082 a

Otros transistores... SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK , SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK , SIB417EDK , SIB419DK , STP75NF75 , SIB433EDK , SIB437EDKT , SIB441EDK , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK .

History: SIB437EDKT | CM697

 

 
Back to Top

 


 
.