Справочник MOSFET. SIB422EDK

 

SIB422EDK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB422EDK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
 

 Аналог (замена) для SIB422EDK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB422EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
 sib422edk.pdf pdf_icon

SIB422EDK

New ProductSiB422EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.030 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.041 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK20 6 nC0.057 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.082 a

Другие MOSFET... SIB412DK , SIB413DK , SIB414DK , SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK , SIB417EDK , SIB419DK , AON7408 , SIB433EDK , SIB437EDKT , SIB441EDK , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK .

History: CSD16322Q5 | 2SK3019 | VS3628GA

 

 
Back to Top

 


 
.