Справочник MOSFET. SIB422EDK

 

SIB422EDK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB422EDK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB422EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
 sib422edk.pdf pdf_icon

SIB422EDK

New ProductSiB422EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.030 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET0.041 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK20 6 nC0.057 at VGS = 1.8 V 9SC-75 Package- Small Footprint Area0.082 a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS4N60P | MC11N005 | AOT424 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.