SIB422EDK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB422EDK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB422EDK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB422EDK даташит

 ..1. Size:226K  vishay
 sib422edk.pdf pdf_icon

SIB422EDK

New Product SiB422EDK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.030 at VGS = 4.5 V 9 TrenchFET Power MOSFET 0.041 at VGS = 2.5 V 9 New Thermally Enhanced PowerPAK 20 6 nC 0.057 at VGS = 1.8 V 9 SC-75 Package - Small Footprint Area 0.082 a

Другие IGBT... SIB412DK, SIB413DK, SIB414DK, SIB415DK, SIB417AEDK, SIB417DK, SIB417EDK, SIB419DK, IRFP250N, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK