SIB441EDK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIB441EDK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0255 Ohm

Encapsulados: SC-75-6L

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SIB441EDK datasheet

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SIB441EDK

New Product SiB441EDK Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-75 Package 0.0255 at VGS = - 4.5 V - 9a - Small Footprint Area 0.0280 at VGS = - 3.7 V - 9a - Low On-Resistance - 12 0.0360 at VGS = - 2.5 V - 9a 13.4 nC Typical ESD

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