SIB441EDK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB441EDK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0255 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

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SIB441EDK Datasheet (PDF)

..1. Size:239K vishay
sib441edk.pdf

New ProductSiB441EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.0255 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area0.0280 at VGS = - 3.7 V - 9a- Low On-Resistance- 12 0.0360 at VGS = - 2.5 V - 9a 13.4 nC Typical ESD

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Liste

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