Справочник MOSFET. SIB441EDK

 

SIB441EDK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB441EDK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
 

 Аналог (замена) для SIB441EDK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB441EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  vishay
 sib441edk.pdf pdf_icon

SIB441EDK

New ProductSiB441EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.0255 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area0.0280 at VGS = - 3.7 V - 9a- Low On-Resistance- 12 0.0360 at VGS = - 2.5 V - 9a 13.4 nC Typical ESD

Другие MOSFET... SIB415DK , SIB417AEDK , SIB417DK , SIB417EDK , SIB419DK , SIB422EDK , SIB433EDK , SIB437EDKT , 2N7000 , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK , SIB800EDK , SIB911DK , SIB912DK .

History: BL6N70A-P

 

 
Back to Top

 


 
.