Справочник MOSFET. SIB441EDK

 

SIB441EDK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIB441EDK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L

 Аналог (замена) для SIB441EDK

 

 

SIB441EDK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  vishay
 sib441edk.pdf

SIB441EDK SIB441EDK

New ProductSiB441EDKVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKSC-75 Package0.0255 at VGS = - 4.5 V - 9a- Small Footprint Area0.0280 at VGS = - 3.7 V - 9a- Low On-Resistance- 12 0.0360 at VGS = - 2.5 V - 9a 13.4 nC Typical ESD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top