SIB488DK Todos los transistores

 

SIB488DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIB488DK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de SIB488DK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIB488DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sib488dk.pdf pdf_icon

SIB488DK

New ProductSiB488DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET9 New Thermally Enhanced PowerPAK0.024 at VGS = 2.5 V 12 9 7.5 nCSC-75 Package0.029 at VGS = 1.8 V 9- Small Footprint Area- Low

Otros transistores... SIB422EDK , SIB433EDK , SIB437EDKT , SIB441EDK , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , IRF4905 , SIB800EDK , SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , SIE726DF , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF .

History: IXFK16N90Q | KRF7663 | SFP60N100 | PSMN1R5-30YL | TMU2N40 | IXFX120N25

 

 
Back to Top

 


 
.