Справочник MOSFET. SIB488DK

 

SIB488DK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIB488DK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SC-75-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB488DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sib488dk.pdf pdf_icon

SIB488DK

New ProductSiB488DKVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET9 New Thermally Enhanced PowerPAK0.024 at VGS = 2.5 V 12 9 7.5 nCSC-75 Package0.029 at VGS = 1.8 V 9- Small Footprint Area- Low

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT60M75L2FLLG | NVMFS5C628N | WMO05N100C2 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.