SIB488DK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB488DK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB488DK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB488DK даташит

 ..1. Size:227K  vishay
 sib488dk.pdf pdf_icon

SIB488DK

New Product SiB488DK Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 9 New Thermally Enhanced PowerPAK 0.024 at VGS = 2.5 V 12 9 7.5 nC SC-75 Package 0.029 at VGS = 1.8 V 9 - Small Footprint Area - Low

Другие IGBT... SIB422EDK, SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, IRF4905, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF, SIE800DF, SIE802DF, SIE804DF