SIE726DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIE726DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: POLARPAK

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SIE726DF datasheet

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SIE726DF

New Product SiE726DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0024 at VGS = 10 V 175 60

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