SIE726DF Todos los transistores

 

SIE726DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE726DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE726DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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SIE726DF

New ProductSiE726DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V)RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0024 at VGS = 10 V 17560

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