Справочник MOSFET. SIE726DF

 

SIE726DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE726DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE726DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE726DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 sie726df.pdf pdf_icon

SIE726DF

New ProductSiE726DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V)RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0024 at VGS = 10 V 17560

Другие MOSFET... SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK , SIB800EDK , SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , 2SK3568 , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF , SIE806DF , SIE808DF , SIE810DF , SIE812DF , SIE816DF .

History: CM10N60F

 

 
Back to Top

 


 
.