Справочник MOSFET. SIE726DF

 

SIE726DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE726DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE726DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 sie726df.pdf pdf_icon

SIE726DF

New ProductSiE726DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V)RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0024 at VGS = 10 V 17560

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MSF13N50 | PMBFJ212 | P2003ETF | 5LP01S | IPL60R185P7 | 19N10L-TMS-T | STP7N52DK3

 

 
Back to Top

 


 
.