SIE726DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE726DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE726DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE726DF даташит

 ..1. Size:204K  vishay
 sie726df.pdf pdf_icon

SIE726DF

New Product SiE726DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0024 at VGS = 10 V 175 60

Другие IGBT... SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, 4435, SIE800DF, SIE802DF, SIE804DF, SIE806DF, SIE808DF, SIE810DF, SIE812DF, SIE816DF