SIE726DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIE726DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: POLARPAK
Аналог (замена) для SIE726DF
SIE726DF Datasheet (PDF)
sie726df.pdf

New ProductSiE726DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package SkyFET Monolithic TrenchFET VDS (V)RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.)Power MOSFET and Schottky Diode Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0024 at VGS = 10 V 17560
Другие MOSFET... SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK , SIB800EDK , SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , 2SK3568 , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF , SIE806DF , SIE808DF , SIE810DF , SIE812DF , SIE816DF .
History: FTK50N06D | 2SK806 | STC6602 | NDB608AE | UPA2734GR | AUIRFB4127
History: FTK50N06D | 2SK806 | STC6602 | NDB608AE | UPA2734GR | AUIRFB4127



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527