SIE820DF Todos los transistores

 

SIE820DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE820DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE820DF Datasheet (PDF)

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SIE820DF

SiE820DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology forVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit LimitLow Switching Losses0.0035 at VGS = 4.5 V 136 TrenchFET Power MOSFET5020 43 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0

 9.1. Size:173K  vishay
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SIE820DF

SiE822DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0034 at VGS = 10 V 138 Exposed PolarPAK Package for Double-5020 24 nCSided Cooling0.0055 at V

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History: JCS6N70VC | IPD60R145CFD7 | CJP12N60 | PSMN9R0-30LL | CSD25484F4 | HM85P02 | VS6038AD

 

 
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