Справочник MOSFET. SIE820DF

 

SIE820DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE820DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE820DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sie820df.pdf pdf_icon

SIE820DF

SiE820DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology forVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit LimitLow Switching Losses0.0035 at VGS = 4.5 V 136 TrenchFET Power MOSFET5020 43 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0

 9.1. Size:173K  vishay
 sie822df.pdf pdf_icon

SIE820DF

SiE822DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0034 at VGS = 10 V 138 Exposed PolarPAK Package for Double-5020 24 nCSided Cooling0.0055 at V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.